在電子芯片制造領(lǐng)域，制程的精密程度不斷提升，從 7nm 到 5nm，甚至更小的制程都在逐漸成為主流。而這背后，對(duì)水質(zhì)純度的要求也達(dá)到了近乎苛刻的程度。要知道，電導(dǎo)率的微小波動(dòng)，比如從 0.2μS/cm 升至 0.6μS/cm，都可能給芯片廠帶來(lái)上億成本的損失。這是因?yàn)樗|(zhì)不達(dá)標(biāo)可能會(huì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)各種缺陷，從而降低產(chǎn)品的良率。然而，傳統(tǒng)的人工檢測(cè)方式效率低、誤差大，根本難以滿足高頻次、高精度的監(jiān)測(cè)需求。據(jù)統(tǒng)計(jì)，采用人工檢測(cè)時(shí)，出現(xiàn)誤差導(dǎo)致產(chǎn)品損失的概率能達(dá)到 15%左右。那么，在線電導(dǎo)率自動(dòng)監(jiān)測(cè)儀該安裝在哪些關(guān)鍵步驟，才能保障芯片廠水質(zhì)“零失誤”呢?

　　步驟 1：晶圓清洗前的儲(chǔ)水箱——“用前最后檢查”

　　超純水在儲(chǔ)存過(guò)程中，其實(shí)隱藏著不少風(fēng)險(xiǎn)。儲(chǔ)水箱的內(nèi)壁可能會(huì)受到污染，而且與空氣接觸時(shí)也可能引入雜質(zhì)，這些都會(huì)導(dǎo)致電導(dǎo)率上升。而晶圓清洗可是芯片加工的關(guān)鍵步驟，一旦清洗用水不達(dá)標(biāo)，直接會(huì)影響光刻精度。想象一下，如果光刻精度出現(xiàn)問(wèn)題，那芯片的性能和質(zhì)量肯定會(huì)大打折扣。所以，在儲(chǔ)水箱出口安裝傳感器就顯得尤為重要。每次用水前，傳感器都能實(shí)時(shí)讀數(shù)，確保電導(dǎo)率穩(wěn)定在 0.3μS/cm 以下。這就相當(dāng)于給清洗環(huán)節(jié)上了“雙保險(xiǎn)”，讓芯片的清洗過(guò)程更加可靠。

　　步驟 2：化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)用水點(diǎn)——控制“研磨污染”

　　在 CMP 環(huán)節(jié)，需要用超純水沖洗研磨液。這里面有一個(gè)關(guān)鍵知識(shí)，如果水中有離子雜質(zhì)，就會(huì)與研磨液發(fā)生反應(yīng)，生成殘留物。這些殘留物會(huì)附著在晶圓表面，導(dǎo)致電路出現(xiàn)缺陷。而在線電導(dǎo)率自動(dòng)傳感器在這個(gè)環(huán)節(jié)就發(fā)揮了巨大的價(jià)值。它可以監(jiān)測(cè) CMP 用水的電導(dǎo)率，并且與流量控制聯(lián)動(dòng)。通過(guò)這種方式，確保水中的雜質(zhì)含量低至不影響研磨效果，從而減少因水質(zhì)問(wèn)題導(dǎo)致的返工率。有芯片廠安裝了該監(jiān)測(cè)儀后，返工率降低了 20%左右。

　　步驟 3：純水設(shè)備維護(hù)監(jiān)測(cè)點(diǎn)——提前預(yù)警“設(shè)備老化”

　　反滲透膜、EDI 模塊等純水設(shè)備在使用過(guò)程中會(huì)逐漸老化，這會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)水電導(dǎo)率上升。如果等到水質(zhì)明顯超標(biāo)再去更換設(shè)備，那已經(jīng)造成了不小的損失。所以，在設(shè)備的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，如膜組件進(jìn)出口安裝傳感器就很有必要。通過(guò)監(jiān)測(cè)電導(dǎo)率的變化，就可以判斷設(shè)備的狀態(tài)。比如，如果膜組件進(jìn)出口的電導(dǎo)率差值變小，很可能是膜堵塞了。這樣就能提前規(guī)劃設(shè)備的維護(hù)，避免突發(fā)故障的發(fā)生。

　　綜上所述，在線電導(dǎo)率監(jiān)測(cè)儀通過(guò)“用前監(jiān)測(cè)、過(guò)程把控、設(shè)備預(yù)警”，讓芯片廠的水質(zhì)管理從“經(jīng)驗(yàn)判斷”轉(zhuǎn)變?yōu)椤皵?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)”。它就像一個(gè)忠誠(chéng)的衛(wèi)士，時(shí)刻守護(hù)著芯片廠的水質(zhì)安全。有了它，芯片廠可以大幅降低質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，提升產(chǎn)品良率，進(jìn)而增強(qiáng)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。如果你也在為水質(zhì)監(jiān)測(cè)問(wèn)題煩惱，歡迎隨時(shí)咨詢邁德施電導(dǎo)率水質(zhì)傳感器廠家！